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KRA226S

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器件名 厂商 描 述 功能
KRA226S KEC EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) 下载
KRA226S-RTK/P KEC 额定功率:200mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.8A PD=0.2W R1=2.2K R2=10K 下载
KRA226S的相关参数为:

器件描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

参数
参数名称属性值
厂商名称KEC
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)56
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1
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