器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
KRA226S | KEC | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) | 下载 |
KRA226S-RTK/P | KEC | 额定功率:200mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.8A PD=0.2W R1=2.2K R2=10K | 下载 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | KEC |
零件包装代码 | SOT-23 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55 |
最大集电极电流 (IC) | 0.8 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 56 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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