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K9F4G08U0D

eeworld网站中关于K9F4G08U0D有2个元器件。有K9F4G08U0D-SIB00、K9F4G08U0D-SIB0000等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
K9F4G08U0D-SIB00 SAMSUNG(三星) Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48 下载
K9F4G08U0D-SIB0000 SAMSUNG(三星) Product Selection Guide Samsung Semiconductor, Inc. Memory & Storage 下载
关于K9F4G08U0D相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
K9F4G08U0D-SCB00 、 K9F4G08U0D-SIB00 下载文档
K9F4G08U0D-SIB0000 下载文档
K9F4G08U0D资料比对:
型号 K9F4G08U0D-SCB00 K9F4G08U0D-SIB00
描述 Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48 Flash, 512MX8, 25ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 TSOP1 TSOP1
包装说明 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数 48 48
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 25 ns 25 ns
其他特性 CONTAINS ADDITIONAL 128M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 128M BIT NAND FLASH
命令用户界面 YES YES
数据轮询 NO NO
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48
长度 18.4 mm 18.4 mm
内存密度 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
部门数/规模 4K 4K
端子数量 48 48
字数 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 512MX8 512MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TSOP1
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 TSSOP48,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小 2K words 2K words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
电源 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 128K 128K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED
切换位 NO NO
类型 SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE
宽度 12 mm 12 mm
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