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JANTXV1N6661US

在1个相关元器件中,JANTXV1N6661US有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
JANTXV1N6661US Microsemi DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A 下载
JANTXV1N6661US的相关参数为:

器件描述

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/587
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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