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JANTXV1N5551US

在5个相关元器件中,JANTXV1N5551US有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
JANTXV1N5551US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF 下载
JANTXV1N5551US SENSITRON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN 下载
JANTXV1N5551US Defense Logistics Agency Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 下载
JANTXV1N5551US SEMTECH Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2 下载
JANTXV1N5551US/TR Microsemi 整流器 下载
JANTXV1N5551US的相关参数为:

器件描述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2

参数
参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用POWER
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/420G
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1
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