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JAN1N6173US

在2个相关元器件中,JAN1N6173US有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
JAN1N6173US Microsemi Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2 下载
JAN1N6173US/TR Microsemi ESD 抑制器/TVS 二极管 下载
JAN1N6173US的相关参数为:

器件描述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 152V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Qualified
参考标准MIL
最大重复峰值反向电压152 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
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