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IXTH60N20L2

在4个相关元器件中,IXTH60N20L2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXTH60N20L2 IXYS ( Littelfuse ) Aluminum Electrolytic Capacitors - Leaded 4,700uF 35volts 16x31.5 LS 7.5mm 下载
IXTH60N20L2 Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 下载
IXTH60N20L2 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IXTH60N20L2 IXYS Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3 下载
IXTH60N20L2的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-247
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)60 A
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)540 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)150 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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