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IXTA48N20T

在4个相关元器件中,IXTA48N20T有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXTA48N20T IXYS ( Littelfuse ) MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds 下载
IXTA48N20T Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 下载
IXTA48N20T ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IXTA48N20T IXYS Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, PLASTIC PACKAGE-3 下载
IXTA48N20T的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, PLASTIC PACKAGE-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码D2PAK
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)48 A
最大漏极电流 (ID)48 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)130 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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器件入口   0X 1R 2J 60 EV GF GR MQ QR SE ST T6 US W9 XT

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