器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IXFX32N90P | IXYS ( Littelfuse ) | MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode | 下载 |
IXFX32N90P | Littelfuse | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 下载 |
IXFX32N90P | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IXYS |
包装说明 | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 2000 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 32 A |
最大漏极电流 (ID) | 32 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 960 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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