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IXFX32N90P

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器件名 厂商 描 述 功能
IXFX32N90P IXYS ( Littelfuse ) MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode 下载
IXFX32N90P Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN 下载
IXFX32N90P IXYS Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN 下载
IXFX32N90P的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
包装说明PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)32 A
最大漏极电流 (ID)32 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)960 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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