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IXFA16N50P

在6个相关元器件中,IXFA16N50P有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXFA16N50P IXYS ( Littelfuse ) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:5.5V @ 2.5mA 漏源导通电阻:400mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 下载
IXFA16N50P IXYS MOSFET 500V 16A 下载
IXFA16N50P Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN 下载
IXFA16N50P3 IXYS ( Littelfuse ) MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 下载
IXFA16N50P3 Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 下载
IXFA16N50P_V01 IXYS Power MOSFET 下载
IXFA16N50P的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code_compli
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)750 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)16 A
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)35 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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