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ISO5852SQDWQ1

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器件名 厂商 描 述 功能
ISO5852SQDWQ1 Texas Instruments(德州仪器) High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40 to 125 下载
ISO5852SQDWQ1的相关参数为:

器件描述

High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40 to 125

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SOP,
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
高边驱动器NO
接口集成电路类型AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e4
长度10.3 mm
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度2.65 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.25 V
标称供电电压5 V
电源电压1-最大30 V
电源电压1-分钟15 V
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
断开时间0.11 µs
接通时间0.11 µs
宽度7.5 mm
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