电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IS61LV256AL

eeworld网站中关于IS61LV256AL有24个元器件。有IS61LV256AL、IS61LV256AL_09等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IS61LV256AL ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL_09 ISSI(芯成半导体) 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM 下载
IS61LV256AL-10J ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL-10J Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 下载
IS61LV256AL-10JI ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL-10JI Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 下载
IS61LV256AL-10JL ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL-10JL Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 下载
IS61LV256AL-10JLI All Sensors sram 256k 32kx8 10ns async sram 3.3v 下载
IS61LV256AL-10JLI ISSI(芯成半导体) SRAM 256K 32Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 下载
IS61LV256AL-10JLI Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 下载
IS61LV256AL-10JLI-TR All Sensors sram 256k 32kx8 10ns async sram 3.3v 下载
IS61LV256AL-10JLI-TR ISSI(芯成半导体) SRAM 256K 32Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 下载
IS61LV256AL-10T ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL-10T Integrated Silicon Solution ( ISSI ) 32KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, MO-183, TSOP1-28 下载
IS61LV256AL-10TI ISSI(芯成半导体) 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 下载
IS61LV256AL-10TI Integrated Silicon Solution ( ISSI ) 32KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, MO-183, TSOP1-28 下载
IS61LV256AL-10TL ISSI(芯成半导体) 存储器接口类型:Parallel 存储器容量:256Kb (32K x 8) 工作电压:3.3V 存储器类型:Volatile 256-Kbit(32K x 8bit),并行接口,工作电压:3.3V 下载
IS61LV256AL-10TL Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, TSOP1-28 下载
IS61LV256AL-10TLI Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, TSOP1-28 下载
IS61LV256AL-10TLI ISSI(芯成半导体) —— 下载
IS61LV256AL-10TLI-TR All Sensors sram 256k 32kx8 10ns async sram 3.3v 下载
IS61LV256AL-10TLI-TR ISSI(芯成半导体) SRAM 256K 32Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 下载
IS61LV256AL-10TLI-TR Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, TSOP1-28 下载
关于IS61LV256AL相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IS61LV256AL-10JI 、 IS61LV256AL-10JL 、 IS61LV256AL-10T 、 IS61LV256AL-10TI 、 IS61LV256AL 、 IS61LV256AL-10J 下载文档
IS61LV256AL-10JI 、 IS61LV256AL-10JL 、 IS61LV256AL-10TI 下载文档
IS61LV256AL-10JLI-TR 、 IS61LV256AL-10TLI-TR 下载文档
IS61LV256AL-10TL 、 IS61LV256AL-10TLI 下载文档
IS61LV256AL-10TLI 、 IS61LV256AL-10TLI-TR 下载文档
IS61LV256AL-10JLI-TR 、 IS61LV256AL-10TLI-TR 下载文档
IS61LV256AL-10J 下载文档
IS61LV256AL_09 下载文档
IS61LV256AL-10JLI 下载文档
IS61LV256AL-10TL 下载文档
IS61LV256AL资料比对:
型号 IS61LV256AL IS61LV256AL-10J IS61LV256AL-10JI IS61LV256AL-10JL IS61LV256AL-10T IS61LV256AL-10TI
描述 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电/工作电压 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
额定供电电压 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最大存取时间 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
加工封装描述 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子间距 0.5500 mm 0.5500 mm 0.5500 mm 0.5500 mm 0.5500 mm 0.5500 mm
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 8 8 8 8 8 8
组织 32K × 8 32K × 8 32K × 8 32K × 8 32K × 8 32K × 8
存储密度 262144 deg 262144 deg 262144 deg 262144 deg 262144 deg 262144 deg
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
内存IC类型 标准存储器 标准存储器 标准存储器 标准存储器 标准存储器 标准存储器
串行并行 并行 并行 并行 并行 并行 并行
位数 32K 32K 32K 32K 32K 32K
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1B 1C 1D 1P 3Z 4V 6Y AC BO EM EP NR sb TB XH

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved