器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IS42S16400J-6BLI | ETC2 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 | 下载 |
IS42S16400J-6BLI | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54 | 下载 |
IS42S16400J-6BLI | ISSI(芯成半导体) | DRAM 64M (4Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V | 下载 |
IS42S16400J-6BLI-TR | All Sensors | dram 64m (4mx16) 166mhz Sdram, 3.3v | 下载 |
IS42S16400J-6BLI-TR | ISSI(芯成半导体) | DRAM 64M (4Mx16) 166MHz SDRAM, 3.3v | 下载 |
IS42S16400J-6BLI-TR | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | IS42S16400J-6BLI-TR | IS42S16400J-6BLI |
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描述 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 | TFBGA, BGA54,9X9,32 | TFBGA, BGA54,9X9,32 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz | 166 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 | S-PBGA-B54 |
长度 | 8 mm | 8 mm |
内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 54 | 54 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 4MX16 | 4MX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA |
封装等效代码 | BGA54,9X9,32 | BGA54,9X9,32 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 | 4096 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES |
连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
最大压摆率 | 0.15 mA | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 8 mm | 8 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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