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IRLR2905Z

eeworld网站中关于IRLR2905Z有17个元器件。有IRLR2905Z、IRLR2905Z等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRLR2905Z International Rectifier ( Infineon ) 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRLR2905Z Kersemi Electronic Advanced Process Technology 下载
IRLR2905Z Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载
IRLR2905Z ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRLR2905ZPBF International Rectifier ( Infineon ) 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRLR2905ZPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC 下载
IRLR2905ZPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRLR2905ZTR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 下载
IRLR2905ZTRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 下载
IRLR2905ZTRLPBF International Rectifier ( Infineon ) 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRLR2905ZTRLPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl 下载
IRLR2905ZTRPBF International Rectifier ( Infineon ) 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRLR2905ZTRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC 下载
IRLR2905ZTRPBF IR 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:N沟道 N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V 下载
IRLR2905ZTRPBF 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 下载
IRLR2905ZTRR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 下载
IRLR2905ZTRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 下载
关于IRLR2905Z相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRLR2905ZTR 、 IRLR2905ZTRL 、 IRLR2905ZTRR 、 IRLR2905ZTRRPBF 下载文档
IRLR2905ZPBF 、 IRLR2905ZTRLPBF 、 IRLR2905ZTRPBF 下载文档
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IRLR2905ZTRPBF 下载文档
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IRLR2905Z资料比对:
型号 IRLR2905ZTRRPBF IRLR2905ZTR IRLR2905ZTRL IRLR2905ZTRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 60 A 60 A 60 A 60 A
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.0135 Ω 0.0135 Ω 0.0135 Ω 0.0135 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 245 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 110 W 110 W 110 W 110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A 240 A 240 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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