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IRHSNA57Z60

eeworld网站中关于IRHSNA57Z60有4个元器件。有IRHSNA57Z60、IRHSNA57Z60_15等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRHSNA57Z60 International Rectifier ( Infineon ) RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL 下载
IRHSNA57Z60_15 International Rectifier ( Infineon ) Simple Drive Requirements 下载
IRHSNA57Z60PBF Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN 下载
IRHSNA57Z60PBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN 下载
关于IRHSNA57Z60相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRHSNA57Z60PBF 、 IRHSNA57Z60PBF 下载文档
IRHSNA57Z60_15 下载文档
IRHSNA57Z60 下载文档
IRHSNA57Z60资料比对:
型号 IRHSNA57Z60PBF IRHSNA57Z60PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) Infineon(英飞凌)
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code compliant compliant
雪崩能效等级(Eas) 500 mJ 500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0035 Ω 0.0035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 300 A 300 A
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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