器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IRHSNA57Z60 | International Rectifier ( Infineon ) | RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL | 下载 |
IRHSNA57Z60_15 | International Rectifier ( Infineon ) | Simple Drive Requirements | 下载 |
IRHSNA57Z60PBF | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN | 下载 |
IRHSNA57Z60PBF | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IRHSNA57Z60PBF 、 IRHSNA57Z60PBF | 下载文档 |
IRHSNA57Z60_15 | 下载文档 |
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型号 | IRHSNA57Z60PBF | IRHSNA57Z60PBF |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ | 500 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 75 A | 75 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0035 Ω | 0.0035 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 | R-CBCC-N3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A | 300 A |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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