器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IRFB18N50K | International Rectifier ( Infineon ) | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A) | 下载 |
IRFB18N50K | Vishay(威世) | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | 下载 |
IRFB18N50K | Kersemi Electronic | Power MOSFET | 下载 |
IRFB18N50KPBF | International Rectifier ( Infineon ) | 17 A, 500 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
IRFB18N50KPBF | Kersemi Electronic | 17 A, 500 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
IRFB18N50KPBF | Vishay(威世) | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | IRFB18N50KPBF | IRFB18N50K |
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描述 | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
Factory Lead Time | 16 weeks | 20 weeks 1 day |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 370 mJ | 370 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 17 A | 17 A |
最大漏极电流 (ID) | 17 A | 17 A |
最大漏源导通电阻 | 0.29 Ω | 0.29 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 220 W | 220 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 68 A | 68 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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