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IRFR220NTRLPBF

在2个相关元器件中,IRFR220NTRLPBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFR220NTRLPBF International Rectifier ( Infineon ) 5 A, 200 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRFR220NTRLPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC 下载
IRFR220NTRLPBF的相关参数为:

器件描述

MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
雪崩能效等级(Eas)46 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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