器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IRFR220NTRLPBF | International Rectifier ( Infineon ) | 5 A, 200 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 下载 |
IRFR220NTRLPBF | Infineon(英飞凌) | MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC | 下载 |
MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 15 weeks |
雪崩能效等级(Eas) | 46 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A |
最大漏极电流 (ID) | 5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 43 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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