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IRFH7911TR

eeworld网站中关于IRFH7911TR有4个元器件。有IRFH7911TR2PBF、IRFH7911TR2PBF等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFH7911TR2PBF International Rectifier ( Infineon ) 13 A, 30 V, 0.0086 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRFH7911TR2PBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V POL 下载
IRFH7911TRPBF International Rectifier ( Infineon ) INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFH7911TRPBF - DUAL N CH MOSFET; 30V; PQFN-18; FULL REEL 下载
IRFH7911TRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC 下载
关于IRFH7911TR相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFH7911TR2PBF 、 IRFH7911TRPBF 下载文档
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IRFH7911TR资料比对:
型号 IRFH7911TR2PBF IRFH7911TRPBF
描述 13 A, 30 V, 0.0086 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFH7911TRPBF - DUAL N CH MOSFET; 30V; PQFN-18; FULL REEL
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE C, 18 PIN 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE C, 18 PIN
针数 18 18
制造商包装代码 CASE C CASE C
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 12 mJ 12 mJ
外壳连接 DRAIN SOURCE DRAIN SOURCE
配置 SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 28 A 28 A
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.0086 Ω 0.0086 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PQFP-N6 R-PQFP-N6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 2 2
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.4 W 3.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A 100 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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