型号 |
IRFH7911TR2PBF |
IRFH7911TRPBF |
描述 |
13 A, 30 V, 0.0086 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFH7911TRPBF - DUAL N CH MOSFET; 30V; PQFN-18; FULL REEL |
是否无铅 |
不含铅 |
不含铅 |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
包装说明 |
6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE C, 18 PIN |
6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE C, 18 PIN |
针数 |
18 |
18 |
制造商包装代码 |
CASE C |
CASE C |
Reach Compliance Code |
unknow |
unknow |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
其他特性 |
HIGH RELIABILITY |
HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas) |
12 mJ |
12 mJ |
外壳连接 |
DRAIN SOURCE |
DRAIN SOURCE |
配置 |
SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 |
30 V |
30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) |
28 A |
28 A |
最大漏极电流 (ID) |
13 A |
13 A |
最大漏源导通电阻 |
0.0086 Ω |
0.0086 Ω |
FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 |
R-PQFP-N6 |
R-PQFP-N6 |
JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
湿度敏感等级 |
2 |
2 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
6 |
6 |
工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
FLATPACK |
FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
极性/信道类型 |
N-CHANNEL |
N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) |
3.4 W |
3.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) |
100 A |
100 A |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
YES |
YES |
端子面层 |
Matte Tin (Sn) |
Matte Tin (Sn) |
端子形式 |
NO LEAD |
NO LEAD |
端子位置 |
QUAD |
QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
30 |
30 |
晶体管应用 |
SWITCHING |
SWITCHING |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |