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IRFE210

eeworld网站中关于IRFE210有13个元器件。有IRFE210、IRFE210等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFE210 International Rectifier ( Infineon ) 2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRFE210 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 下载
IRFE210 TT Electronics plc Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 下载
IRFE210 SEMELAB 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 下载
IRFE210_15 International Rectifier ( Infineon ) Simple Drive Requirements 下载
IRFE210E4 TT Electronics plc Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 下载
IRFE210E4 SEMELAB 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 下载
IRFE210-JQR-B SEMELAB 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 下载
IRFE210-JQR-B TT Electronics plc Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 下载
IRFE210-JQR-BE4 SEMELAB 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 下载
IRFE210-JQR-BE4 TT Electronics plc Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 下载
IRFE210PBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 下载
IRFE210PBF Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 下载
关于IRFE210相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFE210 、 IRFE210 、 IRFE210-JQR-B 、 IRFE210-JQR-B 、 IRFE210-JQR-BE4 、 IRFE210-JQR-BE4 、 IRFE210E4 、 IRFE210E4 下载文档
IRFE210 、 IRFE210 、 IRFE210PBF 下载文档
IRFE210PBF 下载文档
IRFE210_15 下载文档
IRFE210资料比对:
型号 IRFE210 IRFE210 IRFE210-JQR-B IRFE210-JQR-B IRFE210-JQR-BE4 IRFE210-JQR-BE4 IRFE210E4 IRFE210E4
描述 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 1.725ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 LCC4-15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 1.8 A 1.8 A 1.8 A 1.8 A 1.8 A 1.8 A 1.8 A 1.8 A
最大漏源导通电阻 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω 1.725 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15
端子数量 15 15 15 15 15 15 15 15
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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