电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IRFB3307Z

eeworld网站中关于IRFB3307Z有7个元器件。有IRFB3307Z、IRFB3307Z等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFB3307Z Infineon(英飞凌) —— 下载
IRFB3307Z ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFB3307ZGPBF International Rectifier ( Infineon ) HEXFETPower MOSFET 下载
IRFB3307ZGPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC 下载
IRFB3307ZPBF International Rectifier ( Infineon ) 120 A, 75 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFB3307ZPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC 下载
IRFB3307ZPBF IR 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,75V,128A,5.8mΩ@10V 下载
关于IRFB3307Z相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFB3307Z 、 IRFB3307ZPBF 下载文档
IRFB3307ZPBF 下载文档
IRFB3307ZPBF 下载文档
IRFB3307ZGPBF 下载文档
IRFB3307ZGPBF 下载文档
IRFB3307Z资料比对:
型号 IRFB3307ZPBF IRFB3307Z
描述 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,75V,128A,5.8mΩ@10V
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   2O 4D 9E AQ CE D8 GJ K1 L1 MJ N4 NY OF Q6 QY

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved