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IRF8113

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IRF8113TR Infineon MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC 下载
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IRF8113TRPBF IR 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17.2A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 17.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,30V,17.2A,5.6mΩ@10V 下载
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IRF8113UPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, MS-012AA, SOP-8 下载
IRF8113UTRPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, MS-012AA, SOP-8 下载
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