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IRF7343PBF

在3个相关元器件中,IRF7343PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF7343PBF International Rectifier ( Infineon ) 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA 下载
IRF7343PBF Infineon(英飞凌) MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS 下载
IRF7343PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) DUAL N AND P CHANNEL MOSFET 下载
IRF7343PBF的相关参数为:

器件描述

MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, SO-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionINFINEON - IRF7343PBF - MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)72 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)4.7 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)38 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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