器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IRF7343PBF | International Rectifier ( Infineon ) | 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA | 下载 |
IRF7343PBF | Infineon(英飞凌) | MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS | 下载 |
IRF7343PBF_15 | International Rectifier ( Infineon ) | DUAL N AND P CHANNEL MOSFET | 下载 |
MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | LEAD FREE, SO-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | INFINEON - IRF7343PBF - MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas) | 72 mJ |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.05 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MS-012AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 38 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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