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IRF6798MTRPBF

在2个相关元器件中,IRF6798MTRPBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF6798MTRPbF International Rectifier ( Infineon ) 37 A, 25 V, 0.0013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF6798MTRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 50nC 下载
IRF6798MTRPBF的相关参数为:

器件描述

MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 50nC

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)220 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)197 A
最大漏极电流 (ID)37 A
最大漏源导通电阻0.0013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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器件入口   17 24 33 4T 7M AY EB FO IM IR P8 QG UO VX Z6

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