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IRF6623TR1

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器件名 厂商 描 述 功能
IRF6623TR1 International Rectifier ( Infineon ) Application Specific MOSFETs 下载
IRF6623TR1 Infineon(英飞凌) MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC 下载
IRF6623TR1PBF International Rectifier ( Infineon ) 16 A, 20 V, 0.0057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF6623TR1PBF Infineon(英飞凌) —— 下载
IRF6623TR1的相关参数为:

器件描述

MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC

参数
参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSN
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DirectFET-ST
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current16 A
Rds On - Drain-Source Resistance5.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge11 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle Quad Drain Dual Source
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
0.7 mm
长度
Length
4.85 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
HEXFET Power MOSFET
宽度
Width
3.95 mm
Fall Time4.5 ns
Moisture SensitiveYes
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
42 W
Rise Time40 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
Typical Turn-Off Delay Time12 ns
Typical Turn-On Delay Time9.7 ns
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