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IRF2204PBF

在3个相关元器件中,IRF2204PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF2204PBF International Rectifier ( Infineon ) 75 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF2204PBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 130A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道 下载
IRF2204PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRF2204PBF的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 130A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)460 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)210 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)850 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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