器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IPW90R120C3 | Infineon(英飞凌) | —— | 下载 |
IPW90R120C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
IPW90R120C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
IPW90R1K0C3 | Infineon(英飞凌) | 8-bit Microcontrollers - MCU Full Spd USB 64KB 4KBRAM nanoWatt | 下载 |
IPW90R1K0C3 | Rochester Electronics | 5.7A, 900V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN | 下载 |
IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 | 下载 |
IPW90R1K2C3 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPW90R1K2C3 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 下载 |
IPW90R340C3 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPW90R340C3 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
IPW90R340C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 下载 |
IPW90R340C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
IPW90R500C3 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPW90R500C3 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
IPW90R500C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 下载 |
IPW90R800C3 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
IPW90R800C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IPW90R340C3 、 IPW90R340C3FKSA1 、 IPW90R340C3XKSA1 | 下载文档 |
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型号 | IPW90R340C3 | IPW90R340C3FKSA1 | IPW90R340C3XKSA1 |
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描述 | MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Power Field-Effect Transistor, |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | , |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
零件包装代码 | TO-247 | TO-247 | - |
针数 | 3 | 3 | - |
雪崩能效等级(Eas) | 678 mJ | 678 mJ | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 900 V | 900 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 15 A | 15 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.34 Ω | 0.34 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-247 | TO-247 | - |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 3 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 34 A | 34 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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