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IPW90

eeworld网站中关于IPW90有18个元器件。有IPW90R120C3、IPW90R120C3FKSA1等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IPW90R120C3 Infineon(英飞凌) —— 下载
IPW90R120C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3 下载
IPW90R120C3XKSA1 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 下载
IPW90R1K0C3 Infineon(英飞凌) 8-bit Microcontrollers - MCU Full Spd USB 64KB 4KBRAM nanoWatt 下载
IPW90R1K0C3 Rochester Electronics 5.7A, 900V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN 下载
IPW90R1K0C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 下载
IPW90R1K2C3 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW90R1K2C3 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3 下载
IPW90R1K2C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LOW POWER_LEGACY 下载
IPW90R340C3 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW90R340C3 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 下载
IPW90R340C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LOW POWER_LEGACY 下载
IPW90R340C3XKSA1 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 下载
IPW90R500C3 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW90R500C3 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3 下载
IPW90R500C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LOW POWER_LEGACY 下载
IPW90R800C3 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 下载
IPW90R800C3FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 下载
关于IPW90相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IPW90R340C3 、 IPW90R340C3FKSA1 、 IPW90R340C3XKSA1 下载文档
IPW90R1K0C3 、 IPW90R1K0C3FKSA1 下载文档
IPW90R800C3 、 IPW90R800C3FKSA1 下载文档
IPW90R120C3 、 IPW90R120C3XKSA1 下载文档
IPW90R500C3 下载文档
IPW90R500C3FKSA1 下载文档
IPW90R1K2C3 下载文档
IPW90R120C3FKSA1 下载文档
IPW90R1K0C3 下载文档
IPW90R1K2C3FKSA1 下载文档
IPW90资料比对:
型号 IPW90R340C3 IPW90R340C3FKSA1 IPW90R340C3XKSA1
描述 MOSFET N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 MOSFET LOW POWER_LEGACY Power Field-Effect Transistor,
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 ,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
零件包装代码 TO-247 TO-247 -
针数 3 3 -
雪崩能效等级(Eas) 678 mJ 678 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 900 V 900 V -
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A -
最大漏源导通电阻 0.34 Ω 0.34 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247 -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 34 A 34 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
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