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IPP65R280C6XKSA1

在1个相关元器件中,IPP65R280C6XKSA1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPP65R280C6XKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 下载
IPP65R280C6XKSA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Objectid1299751478
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id153828068
雪崩能效等级(Eas)290 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏源导通电阻0.28 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)39 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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