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IPP60R165CP

在4个相关元器件中,IPP60R165CP有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPP60R165CP Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:3.5V @ 790uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 N沟道,650V,21A,165mΩ@10V 下载
IPP60R165CP ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPP60R165CP_07 Infineon(英飞凌) CoolMOSTM Power Transistor 下载
IPP60R165CPXKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP 下载
IPP60R165CP的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:3.5V @ 790uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 N沟道,650V,21A,165mΩ@10V

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)522 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)21 A
最大漏极电流 (ID)21 A
最大漏源导通电阻0.165 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)61 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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