器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IPP60R165CP | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:3.5V @ 790uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 N沟道,650V,21A,165mΩ@10V | 下载 |
IPP60R165CP | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPP60R165CP_07 | Infineon(英飞凌) | CoolMOSTM Power Transistor | 下载 |
IPP60R165CPXKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP | 下载 |
漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:3.5V @ 790uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道 N沟道,650V,21A,165mΩ@10V
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 1 week |
雪崩能效等级(Eas) | 522 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 21 A |
最大漏极电流 (ID) | 21 A |
最大漏源导通电阻 | 0.165 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 192 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 61 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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