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IPI530N15N3GXKSA1

在1个相关元器件中,IPI530N15N3GXKSA1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3 下载
IPI530N15N3GXKSA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)21 A
最大漏源导通电阻0.053 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)84 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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