器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IPI120N06S4-02 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | 下载 |
IPI120N06S402AKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 下载 |
IPI120N06S402AKSA2 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 下载 |
IPI120N06S4-03 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | 下载 |
IPI120N06S403AKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 下载 |
IPI120N06S403AKSA2 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | 下载 |
IPI120N06S4-H1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | 下载 |
IPI120N06S4H1AKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 下载 |
IPI120N06S4H1AKSA2 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IPI120N06S4-02 、 IPI120N06S402AKSA2 | 下载文档 |
IPI120N06S4-H1 、 IPI120N06S4H1AKSA1 | 下载文档 |
IPI120N06S4H1AKSA2 | 下载文档 |
IPI120N06S403AKSA2 | 下载文档 |
IPI120N06S402AKSA1 | 下载文档 |
IPI120N06S4-03 | 下载文档 |
IPI120N06S403AKSA1 | 下载文档 |
型号 | IPI120N06S4-H1 | IPI120N06S4H1AKSA1 |
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描述 | MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | MOSFET N-CHANNEL_55/60V |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 1060 mJ | 1060 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 120 A | 120 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω | 0.0024 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 480 A | 480 A |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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