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IPD90R1K2C

eeworld网站中关于IPD90R1K2C有6个元器件。有IPD90R1K2C3、IPD90R1K2C3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IPD90R1K2C3 Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 310uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,900V,5.1A 下载
IPD90R1K2C3 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPD90R1K2C3AT Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor 下载
IPD90R1K2C3ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 下载
IPD90R1K2C3BT Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor 下载
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3 下载
关于IPD90R1K2C相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IPD90R1K2C3ATMA1 、 IPD90R1K2C3BTMA1 下载文档
IPD90R1K2C3AT 、 IPD90R1K2C3BT 下载文档
IPD90R1K2C3 下载文档
IPD90R1K2C资料比对:
型号 IPD90R1K2C3AT IPD90R1K2C3BT
描述 Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 , ,
Reach Compliance Code compliant compliant
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