器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IPD90R1K2C3 | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 310uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,900V,5.1A | 下载 |
IPD90R1K2C3 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPD90R1K2C3AT | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor | 下载 |
IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 | 下载 |
IPD90R1K2C3BT | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor | 下载 |
IPD90R1K2C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | IPD90R1K2C3AT | IPD90R1K2C3BT |
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描述 | Power Field-Effect Transistor | Power Field-Effect Transistor |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | , | , |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
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