电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IPB140N08

在2个相关元器件中,IPB140N08有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPB140N08S4-04 Infineon(英飞凌) N-channel - Enhancement mode 下载
IPB140N08S404ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CHANNEL 75/80V 下载
IPB140N08的相关参数为:

器件描述

N-channel - Enhancement mode

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)212 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)140 A
最大漏源导通电阻0.0042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263
JESD-30 代码R-PSSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)560 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   2C 54 6P 6V 93 CT CV F7 KX RT T6 TP UU W3 WG

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved