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IMX8T108

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器件名 厂商 描 述 功能
IMX8T108 ROHM(罗姆半导体) transistors bipolar - bjt dual npn 120v 50ma sot-457 下载
IMX8T108的相关参数为:

器件描述

transistors bipolar - bjt dual npn 120v 50ma sot-457

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-74
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
VCEsat-Max0.5 V
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