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IKW30N60T

eeworld网站中关于IKW30N60T有6个元器件。有IKW30N60T、IKW30N60T_15等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IKW30N60T Infineon(英飞凌) 集电极电流(Ic)(最大值):60A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.05V @ 15V,30A 栅极阈值电压-VGE(th):5.7V @ 430uA Vce=600V,Ic=30A,Vce(sat)=1.5V 下载
IKW30N60T_15 Infineon(英飞凌) IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 下载
IKW30N60TA Infineon(英飞凌) IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery 下载
IKW30N60TAFKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 下载
IKW30N60TFKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A 下载
IKW30N60TXK Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN 下载
关于IKW30N60T相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IKW30N60TAFKSA1 、 IKW30N60TFKSA1 下载文档
IKW30N60TXK 下载文档
IKW30N60TA 下载文档
IKW30N60T_15 下载文档
IKW30N60T 下载文档
IKW30N60T资料比对:
型号 IKW30N60TAFKSA1 IKW30N60TFKSA1
描述 IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 60 A 60 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 382 ns 382 ns
标称接通时间 (ton) 50 ns 50 ns
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