器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IKW30N60T | Infineon(英飞凌) | 集电极电流(Ic)(最大值):60A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.05V @ 15V,30A 栅极阈值电压-VGE(th):5.7V @ 430uA Vce=600V,Ic=30A,Vce(sat)=1.5V | 下载 |
IKW30N60T_15 | Infineon(英飞凌) | IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode | 下载 |
IKW30N60TA | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery | 下载 |
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 | 下载 |
IKW30N60TFKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A | 下载 |
IKW30N60TXK | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IKW30N60TAFKSA1 、 IKW30N60TFKSA1 | 下载文档 |
IKW30N60TXK | 下载文档 |
IKW30N60TA | 下载文档 |
IKW30N60T_15 | 下载文档 |
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型号 | IKW30N60TAFKSA1 | IKW30N60TFKSA1 |
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描述 | IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 60 A | 60 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-247 | TO-247AC |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 382 ns | 382 ns |
标称接通时间 (ton) | 50 ns | 50 ns |
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