器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IKW25N120CS7 | Infineon(英飞凌) | Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP⢠IGBT 7 technology copacked with soft and fast recovery Emitter Controlled 7 diode | 下载 |
IKW25N120H3 | Infineon(英飞凌) | 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 850uA | 下载 |
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 下载 |
IKW25N120H3XK | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 下载 |
IKW25N120T2 | Infineon(英飞凌) | 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.4V @ 1mA | 下载 |
IKW25N120T2_13 | Infineon(英飞凌) | IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode | 下载 |
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 | 下载 |
IKW25T120 | Infineon(英飞凌) | 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT,沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 1mA | 下载 |
IKW25T120_08 | Infineon(英飞凌) | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC | 下载 |
IKW25T120FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | 下载 |
IKW25T120XK | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IKW25N120T2 、 IKW25N120T2FKSA1 | 下载文档 |
IKW25N120H3FKSA1 、 IKW25N120H3XK | 下载文档 |
IKW25T120XK | 下载文档 |
IKW25T120FKSA1 | 下载文档 |
IKW25T120 | 下载文档 |
IKW25N120H3 | 下载文档 |
IKW25T120_08 | 下载文档 |
型号 | IKW25N120H3FKSA1 | IKW25N120H3XK |
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描述 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 50 A | 50 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-247 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 397 ns | 397 ns |
标称接通时间 (ton) | 61 ns | 61 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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