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IKW25

eeworld网站中关于IKW25有11个元器件。有IKW25N120CS7、IKW25N120H3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IKW25N120CS7 Infineon(英飞凌) Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 technology copacked with soft and fast recovery Emitter Controlled 7 diode 下载
IKW25N120H3 Infineon(英飞凌) 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 850uA 下载
IKW25N120H3FKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors IGBT PRODUCTS 下载
IKW25N120H3XK Infineon(英飞凌) IGBT Transistors IGBT PRODUCTS 下载
IKW25N120T2 Infineon(英飞凌) 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.4V @ 1mA 下载
IKW25N120T2_13 Infineon(英飞凌) IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 下载
IKW25N120T2FKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 下载
IKW25T120 Infineon(英飞凌) 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT,沟槽型场截止 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,25A 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 1mA 下载
IKW25T120_08 Infineon(英飞凌) 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC 下载
IKW25T120FKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A 下载
IKW25T120XK Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN 下载
关于IKW25相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IKW25N120T2 、 IKW25N120T2FKSA1 下载文档
IKW25N120H3FKSA1 、 IKW25N120H3XK 下载文档
IKW25T120XK 下载文档
IKW25T120FKSA1 下载文档
IKW25T120 下载文档
IKW25N120H3 下载文档
IKW25T120_08 下载文档
IKW25资料比对:
型号 IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3XK
描述 IGBT Transistors IGBT PRODUCTS IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 397 ns 397 ns
标称接通时间 (ton) 61 ns 61 ns
Base Number Matches 1 1
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