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IHW30N135R3FKSA1

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器件名 厂商 描 述 功能
IHW30N135R3FKSA1 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors IGBT PRODUCTS 下载
IHW30N135R3FKSA1的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

参数
参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max1350 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C60 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
349 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Tube
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
资格
Qualification
AEC-Q100
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
240
单位重量
Unit Weight
1.340411 oz
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