器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 下载 |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
参数名称 | 属性值 |
产品种类 Product Category | IGBT Transistors |
制造商 Manufacturer | Infineon(英飞凌) |
RoHS | Details |
技术 Technology | Si |
封装 / 箱体 Package / Case | TO-247-3 |
安装风格 Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1350 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.65 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/- 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 349 W |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 40 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 175 C |
系列 Packaging | Tube |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
资格 Qualification | AEC-Q100 |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 240 |
单位重量 Unit Weight | 1.340411 oz |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved