器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IGW60T120 | Infineon(英飞凌) | Gate Drivers | 下载 |
IGW60T120_09 | Infineon(英飞凌) | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD | 下载 |
IGW60T120FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | 下载 |
IGW60T120XK | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247, 3 PIN | 下载 |
Gate Drivers
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-247AD |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 100 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 375 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 730 ns |
标称接通时间 (ton) | 95 ns |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved