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IGB50N60T

在5个相关元器件中,IGB50N60T有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IGB50N60T Infineon(英飞凌) IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A 下载
IGB50N60T_09 Infineon(英飞凌) 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 下载
IGB50N60T_15 Infineon(英飞凌) Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology 下载
IGB50N60TATMA1 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A 下载
IGB50N60TXT Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN 下载
IGB50N60T的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5.7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)333 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)396 ns
标称接通时间 (ton)60 ns
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