器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IGB50N60T | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | 下载 |
IGB50N60T_09 | Infineon(英飞凌) | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB | 下载 |
IGB50N60T_15 | Infineon(英飞凌) | Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology | 下载 |
IGB50N60TATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | 下载 |
IGB50N60TXT | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | 下载 |
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 100 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 5.7 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 333 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 396 ns |
标称接通时间 (ton) | 60 ns |
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