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HMC637LP5

eeworld网站中关于HMC637LP5有6个元器件。有HMC637LP5、HMC637LP5等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HMC637LP5 Hittite Microwave(ADI) GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz 下载
HMC637LP5 ADI(亚德诺半导体) Active Bias Controller High Current 下载
HMC637LP5E Hittite Microwave(ADI) GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz 下载
HMC637LP5E ADI(亚德诺半导体) IC MMIC MESFET AMP GAAS 32-QFN 下载
HMC637LP5ETR Hittite Microwave(ADI) Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, 下载
HMC637LP5TR Hittite Microwave(ADI) Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, 下载
关于HMC637LP5相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HMC637LP5ETR 、 HMC637LP5TR 下载文档
HMC637LP5 、 HMC637LP5E 下载文档
HMC637LP5E 下载文档
HMC637LP5资料比对:
型号 HMC637LP5TR HMC637LP5ETR
描述 Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Hittite Microwave(ADI) Hittite Microwave(ADI)
包装说明 LCC32,.2SQ,20 LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code unknown unknown
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1
端子数量 32 32
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 LCC32,.2SQ,20 LCC32,.2SQ,20
电源 12 V 12 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND MEDIUM POWER WIDE BAND MEDIUM POWER
最大压摆率 480 mA 480 mA
表面贴装 YES YES
技术 GAAS GAAS
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