器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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HMC637LP5 | Hittite Microwave(ADI) | GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz | 下载 |
HMC637LP5 | ADI(亚德诺半导体) | Active Bias Controller High Current | 下载 |
HMC637LP5E | Hittite Microwave(ADI) | GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz | 下载 |
HMC637LP5E | ADI(亚德诺半导体) | IC MMIC MESFET AMP GAAS 32-QFN | 下载 |
HMC637LP5ETR | Hittite Microwave(ADI) | Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, | 下载 |
HMC637LP5TR | Hittite Microwave(ADI) | Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | HMC637LP5TR | HMC637LP5ETR |
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描述 | Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, | Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Hittite Microwave(ADI) | Hittite Microwave(ADI) |
包装说明 | LCC32,.2SQ,20 | LCC32,.2SQ,20 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
安装特点 | SURFACE MOUNT | SURFACE MOUNT |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | LCC32,.2SQ,20 | LCC32,.2SQ,20 |
电源 | 12 V | 12 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND MEDIUM POWER | WIDE BAND MEDIUM POWER |
最大压摆率 | 480 mA | 480 mA |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | GAAS | GAAS |
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