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HGTG30N60B3

eeworld网站中关于HGTG30N60B3有15个元器件。有HGTG30N60B3、HGTG30N60B3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HGTG30N60B3 Fairchild 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3 Intersil ( Renesas ) 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3 ON Semiconductor(安森美) IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series 下载
HGTG30N60B3 Harris Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3 下载
HGTG30N60B3 Renesas(瑞萨电子) 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3 下载
HGTG30N60B3D Fairchild 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3D Intersil ( Renesas ) 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3D ON Semiconductor(安森美) IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel 下载
HGTG30N60B3D Rochester Electronics 60A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, TO-247, 3 PIN 下载
HGTG30N60B3D Harris Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 下载
HGTG30N60B3D Renesas(瑞萨电子) 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3D_04 Fairchild 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG30N60B3D_NL Fairchild Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN 下载
HGTG30N60B3D_Q Fairchild IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel 下载
HGTG30N60B3_NL Fairchild Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN 下载
关于HGTG30N60B3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HGTG30N60B3D 、 HGTG30N60B3D_04 下载文档
HGTG30N60B3 、 HGTG30N60B3D 下载文档
HGTG30N60B3D 下载文档
HGTG30N60B3D 下载文档
HGTG30N60B3D_NL 下载文档
HGTG30N60B3D_Q 下载文档
HGTG30N60B3D 下载文档
HGTG30N60B3D 下载文档
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HGTG30N60B3 下载文档
HGTG30N60B3资料比对:
型号 HGTG30N60B3 HGTG30N60B3D
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 60 A 60 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf) 150 ns 250 ns
门极发射器阈值电压最大值 6 V 6 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 208 W 208 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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