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HGTD1N120BNS9A

在4个相关元器件中,HGTD1N120BNS9A有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
HGTD1N120BNS9A Fairchild 5.3 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA 下载
HGTD1N120BNS9A Renesas(瑞萨电子) 5.3A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA 下载
HGTD1N120BNS9A Harris Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA 下载
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor(安森美) IGBT, 1200V, NPT, 2500-REEL 下载
HGTD1N120BNS9A的相关参数为:

器件描述

IGBT, 1200V, NPT, 2500-REEL

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码369AS
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Is SamacsysN
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5.3 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)370 ns
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)14 ns
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)333 ns
标称接通时间 (ton)24 ns
Base Number Matches1
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