器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
HGTD1N120BNS9A | Fairchild | 5.3 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA | 下载 |
HGTD1N120BNS9A | Renesas(瑞萨电子) | 5.3A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA | 下载 |
HGTD1N120BNS9A | Harris | Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA | 下载 |
HGTD1N120BNS9A | ON Semiconductor(安森美) | IGBT, 1200V, NPT, 2500-REEL | 下载 |
IGBT, 1200V, NPT, 2500-REEL
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
制造商包装代码 | 369AS |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 5.3 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 370 ns |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 60 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 14 ns |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 333 ns |
标称接通时间 (ton) | 24 ns |
Base Number Matches | 1 |
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