电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

GS8342T19BGD-333

eeworld网站中关于GS8342T19BGD-333有4个元器件。有GS8342T19BGD-333、GS8342T19BGD-333I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8342T19BGD-333 GSI Technology DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
GS8342T19BGD-333I GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M 下载
GS8342T19BGD-333IT GSI Technology DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
GS8342T19BGD-333T GSI Technology DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
关于GS8342T19BGD-333相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
GS8342T19BGD-333 、 GS8342T19BGD-333IT 、 GS8342T19BGD-333T 下载文档
GS8342T19BGD-333I 下载文档
GS8342T19BGD-333资料比对:
型号 GS8342T19BGD-333T GS8342T19BGD-333 GS8342T19BGD-333IT
描述 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40
针数 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 333 MHz 333 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 37748736 bit 37748736 bi 37748736 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 18 18 18
功能数量 1 1 1
端子数量 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C
组织 2MX18 2MX18 2MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.195 A 0.195 A 0.205 A
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.515 mA 0.515 mA 0.525 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm 13 mm
厂商名称 GSI Technology GSI Technology -
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   3Z 4Q 70 8G 92 AZ GQ L0 QU QX SF SP WL WS YQ

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved