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GS8342D08BGD-250

eeworld网站中关于GS8342D08BGD-250有4个元器件。有GS8342D08BGD-250、GS8342D08BGD-250I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8342D08BGD-250 GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 8 36M 下载
GS8342D08BGD-250I GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 8 36M 下载
GS8342D08BGD-250IT GSI Technology QDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
GS8342D08BGD-250T GSI Technology QDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
关于GS8342D08BGD-250相关文档资料:
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GS8342D08BGD-250IT 、 GS8342D08BGD-250T 下载文档
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GS8342D08BGD-250资料比对:
型号 GS8342D08BGD-250 GS8342D08BGD-250I
描述 SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 8 36M SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 8 36M
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40
针数 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 250 MHz 250 MHz
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 15 mm 15 mm
内存密度 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 165 165
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 4MX8 4MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.185 A 0.195 A
最小待机电流 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.46 mA 0.47 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm
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