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GS8322Z36AB-250V

eeworld网站中关于GS8322Z36AB-250V有2个元器件。有GS8322Z36AB-250V、GS8322Z36AB-250VT等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8322Z36AB-250V GSI Technology ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 下载
GS8322Z36AB-250VT GSI Technology ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 下载
关于GS8322Z36AB-250V相关文档资料:
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GS8322Z36AB-250V资料比对:
型号 GS8322Z36AB-250VT GS8322Z36AB-250V
描述 ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50
针数 119 119
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 5.5 ns 5.5 ns
其他特性 ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 250 MHz 250 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm
内存密度 37748736 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36
功能数量 1 1
端子数量 119 119
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX36 1MX36
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 1.8/2.5 V 1.8/2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.99 mm 1.99 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 1.7 V 1.7 V
最大压摆率 0.23 mA 0.23 mA
最大供电电压 (Vsup) 2 V 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1
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