器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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GS8322Z36AB-250V | GSI Technology | ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | 下载 |
GS8322Z36AB-250VT | GSI Technology | ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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GS8322Z36AB-250V 、 GS8322Z36AB-250VT | 下载文档 |
型号 | GS8322Z36AB-250VT | GS8322Z36AB-250V |
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描述 | ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 | ZBT SRAM, 1MX36, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数 | 119 | 119 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 5.5 ns | 5.5 ns |
其他特性 | ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE | ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 250 MHz | 250 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
内存宽度 | 36 | 36 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 119 | 119 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1MX36 | 1MX36 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 1.8/2.5 V | 1.8/2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.99 mm | 1.99 mm |
最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A |
最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V |
最大压摆率 | 0.23 mA | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 14 mm | 14 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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