电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

GD25Q16CT2GR

eeworld网站中关于GD25Q16CT2GR有8个元器件。有GD25Q16CTEG、GD25Q16CTFG等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GD25Q16CTEG 兆易创新(GigaDevice) 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 下载
GD25Q16CTFG 兆易创新(GigaDevice) 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 下载
GD25Q16CTIG 兆易创新(GigaDevice) 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 下载
GD25Q16CTIGR 兆易创新(GigaDevice) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:- 存储器接口类型:SPI 存储器容量:16Mb (2M x 8) 下载
GD25Q16CTJG 兆易创新(GigaDevice) 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash 下载
GD25Q16CTJG Wurth Elektronik NOR FLASH 下载
GD25Q16CTJGR 兆易创新(GigaDevice) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:NOR Flash 存储器接口类型:SPI 存储器容量:16Mb (2M x 8) 16Mbit 下载
GD25Q16CTJGR Wurth Elektronik NOR FLASH 下载
关于GD25Q16CT2GR相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
GD25Q16CTJG 、 GD25Q16CTJGR 下载文档
GD25Q16CTJGR 下载文档
GD25Q16CTIGR 下载文档
GD25Q16CT2GR资料比对:
型号 GD25Q16CTJGR GD25Q16CTJG
描述 NOR FLASH NOR FLASH
存储器类型 非易失 非易失
存储器格式 闪存 闪存
技术 FLASH - NOR FLASH - NOR
存储容量 16Mb (2M x 8) 16Mb (2M x 8)
时钟频率 120MHz 120MHz
写周期时间 - 字,页 50µs,2.4ms 50µs,2.4ms
存储器接口 SPI - 四 I/O SPI - 四 I/O
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 105°C(TA) -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP 8-SOP
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   3L 5P 5X 73 8U B3 B9 IG P2 RW T2 TZ U8 YS YV

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved