器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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G2SB80-E3/45 | Vishay(威世) | diode gpp 1.5A 800v gbl | 下载 |
G2SB80-E3-45 | Vishay(威世) | Bridge Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt Glass Passivated | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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G2SB80-E3/1 、 G2SB80-E3/72 | 下载文档 |
G2SB80-E3/45 、 G2SB80-E3/51 | 下载文档 |
G2SB80E3 | 下载文档 |
G2SB80-E3-51 | 下载文档 |
G2SB80-E3-45 | 下载文档 |
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型号 | G2SB80-E3/45 | G2SB80-E3/51 |
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描述 | diode gpp 1.5A 800v gbl | diode gpp 1.5A 800v gbl |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
包装说明 | R-PSIP-T4 | R-PSIP-T4 |
针数 | 4 | 4 |
制造商包装代码 | CASE GBL | CASE GBL |
Reach Compliance Code | unknow | unknown |
其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 800 V | 800 V |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T4 | R-PSIP-T4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A | 80 A |
元件数量 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 1.5 A | 1.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | 800 V |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
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