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G2SB80-E3/45

eeworld网站中关于G2SB80-E3/45有2个元器件。有G2SB80-E3/45、G2SB80-E3-45等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
G2SB80-E3/45 Vishay(威世) diode gpp 1.5A 800v gbl 下载
G2SB80-E3-45 Vishay(威世) Bridge Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt Glass Passivated 下载
关于G2SB80-E3/45相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
G2SB80-E3/1 、 G2SB80-E3/72 下载文档
G2SB80-E3/45 、 G2SB80-E3/51 下载文档
G2SB80E3 下载文档
G2SB80-E3-51 下载文档
G2SB80-E3-45 下载文档
G2SB80-E3 下载文档
G2SB80-E3/45资料比对:
型号 G2SB80-E3/45 G2SB80-E3/51
描述 diode gpp 1.5A 800v gbl diode gpp 1.5A 800v gbl
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
针数 4 4
制造商包装代码 CASE GBL CASE GBL
Reach Compliance Code unknow unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 800 V 800 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 800 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
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