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FQD9N25TM-F085

在2个相关元器件中,FQD9N25TM-F085有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FQD9N25TM_F085 Fairchild mosfet 250v N-channel qfet 下载
FQD9N25TM-F085 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 250V N-Channel QFET 下载
FQD9N25TM-F085的相关参数为:

器件描述

MOSFET 250V N-Channel QFET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)165 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.4 A
最大漏极电流 (ID)7.4 A
最大漏源导通电阻0.42 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)20 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)29.6 A
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)160 ns
最大开启时间(吨)255 ns
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