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FGH12040WD_F155

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器件名 厂商 描 述 功能
FGH12040WD-F155 ON Semiconductor(安森美) 1200V 40A FS2 TRENCH IGBT 下载
FGH12040WD_F155的相关参数为:

器件描述

1200V 40A FS2 TRENCH IGBT

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
制造商包装代码340CH
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)80 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压25 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)428 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)630 ns
标称接通时间 (ton)116 ns
VCEsat-Max2.9 V
Base Number Matches1
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