器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
FGH12040WD-F155 | ON Semiconductor(安森美) | 1200V 40A FS2 TRENCH IGBT | 下载 |
1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
制造商包装代码 | 340CH |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最大集电极电流 (IC) | 80 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 8 V |
门极-发射极最大电压 | 25 V |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 428 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 630 ns |
标称接通时间 (ton) | 116 ns |
VCEsat-Max | 2.9 V |
Base Number Matches | 1 |
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