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FDT86106LZ

在2个相关元器件中,FDT86106LZ有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDT86106LZ Fairchild 3200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
FDT86106LZ ON Semiconductor(安森美) MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 下载
FDT86106LZ的相关参数为:

器件描述

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
制造商包装代码318H-01
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
Samacsys DescriptionFDT86106LZ, N-channel MOSFET Transistor, 3.2 A 100 V, 4-Pin SOT-223
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.2 A
最大漏极电流 (ID)3.2 A
最大漏源导通电阻0.108 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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