电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

FDMQ8203

在2个相关元器件中,FDMQ8203有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDMQ8203 Fairchild MOSFET Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench 下载
FDMQ8203 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP 下载
FDMQ8203的相关参数为:

器件描述

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N12
制造商包装代码511CS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
Samacsys DescriptionFairchild FDMQ8203 Quad N/P-Channel MOSFET Transistor, 10 A, 80 V, 100 V, 12-Pin MLP
外壳连接DRAIN
配置2 BANKS, COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)3.4 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N12
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量12
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   14 1R 25 4N 78 B5 GZ L5 LY PS RM SA SH X3 YK

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved