器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
FDMC8030 | Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | 下载 |
FDMC8030 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP | 下载 |
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 |
制造商包装代码 | 511DG |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 14 weeks |
Samacsys Description | Fairchild FDMC8030 Dual N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 40 V, 8-Pin Power 33 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 21 mJ |
外壳连接 | DRAIN SOURCE |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.01 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 30 pF |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 14 W |
最大功率耗散 (Abs) | 14 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 43 ns |
最大开启时间(吨) | 23 ns |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved