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FDMC8030

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器件名 厂商 描 述 功能
FDMC8030 Fairchild MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 下载
FDMC8030 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP 下载
FDMC8030的相关参数为:

器件描述

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8
制造商包装代码511DG
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
Samacsys DescriptionFairchild FDMC8030 Dual N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 40 V, 8-Pin Power 33
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)21 mJ
外壳连接DRAIN SOURCE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)30 pF
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值14 W
最大功率耗散 (Abs)14 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)43 ns
最大开启时间(吨)23 ns
Base Number Matches1
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